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IRLU110ATU

IRLU110ATU

僅供參考

型號 IRLU110ATU
PNEDA編號 IRLU110ATU
描述 MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLU110ATU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLU110ATU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRLU110ATU, IRLU110ATU數據表 (總頁數: 9, 大小: 244.99 KB)
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IRLU110ATU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs440mOhm @ 2.35A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds235pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 22W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

630mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.74nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60.67pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

280mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1750pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

144W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1515pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

29.8W (Tc)

工作溫度

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