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IRLZ24NPBF

IRLZ24NPBF

僅供參考

型號 IRLZ24NPBF
PNEDA編號 IRLZ24NPBF
描述 MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 24,198
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLZ24NPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLZ24NPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRLZ24NPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds480pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1425pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4250pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.14W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 100mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.3nC @ 5V

Vgs(最大)

10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 28V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tj)

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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15.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1439pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

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