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IRS21867STRPBF

IRS21867STRPBF

僅供參考

型號 IRS21867STRPBF
PNEDA編號 IRS21867STRPBF
描述 IC MOSFET DRIVER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 37,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRS21867STRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRS21867STRPBF
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器

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IRS21867STRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.5V
電流-峰值輸出(源極,接收器)4A, 4A
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)22ns, 18ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

12A, 12A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 24ns

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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頻道類型

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門類型

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電壓-供電

12V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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頻道類型

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門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2.3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

5A, 5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

7ns, 6ns

工作溫度

-40°C ~ 140°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 32V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.5A, 2.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

120ns, 45ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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驅動配置

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

15V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.2V, 2.9V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

350mA, 650mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

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