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IS29GL128S-10TFV02

IS29GL128S-10TFV02

僅供參考

型號 IS29GL128S-10TFV02
PNEDA編號 IS29GL128S-10TFV02
描述 IC FLASH 128M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS29GL128S-10TFV02資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS29GL128S-10TFV02
類別半導體內存IC內存

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IS29GL128S-10TFV02規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間100ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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內存接口

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

70MHz

寫周期-字,頁

8µs, 2.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 4.4V

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

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SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

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