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IS29GL512S-11DHV023

IS29GL512S-11DHV023

僅供參考

型號 IS29GL512S-11DHV023
PNEDA編號 IS29GL512S-11DHV023
描述 IC FLASH 512M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS29GL512S-11DHV023資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS29GL512S-11DHV023
類別半導體內存IC內存

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IS29GL512S-11DHV023規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間110ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (9x9)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 3V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

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內存大小

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時鐘頻率

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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