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IS41LV16100D-50TLI

IS41LV16100D-50TLI

僅供參考

型號 IS41LV16100D-50TLI
PNEDA編號 IS41LV16100D-50TLI
描述 IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS41LV16100D-50TLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS41LV16100D-50TLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS41LV16100D-50TLI, IS41LV16100D-50TLI數據表 (總頁數: 21, 大小: 410.96 KB)
PDFIS41LV16100D-50KLI-TR數據表 封面
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IS41LV16100D-50TLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM - EDO
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間25ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
供應商設備包裝50/44-TSOP II

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內存接口

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時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

100µs, 4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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