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IS42RM16160D-7BLI-TR

IS42RM16160D-7BLI-TR

僅供參考

型號 IS42RM16160D-7BLI-TR
PNEDA編號 IS42RM16160D-7BLI-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42RM16160D-7BLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42RM16160D-7BLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42RM16160D-7BLI-TR, IS42RM16160D-7BLI-TR數據表 (總頁數: 25, 大小: 461.65 KB)
PDFIS42SM32800D-75BL-TR數據表 封面
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IS42RM16160D-7BLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率143MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

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訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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IS42S32800D-75EBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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