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IS42S32160B-75ETLI

IS42S32160B-75ETLI

僅供參考

型號 IS42S32160B-75ETLI
PNEDA編號 IS42S32160B-75ETLI
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S32160B-75ETLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S32160B-75ETLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S32160B-75ETLI, IS42S32160B-75ETLI數據表 (總頁數: 60, 大小: 821.74 KB)
PDFIS42S32160B-75ETLI-TR數據表 封面
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IS42S32160B-75ETLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小512Mb (16M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝86-TSOP II

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內存格式

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內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

72Kb (8K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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內存接口

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時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

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