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IS42S32160B-7BLI

IS42S32160B-7BLI

僅供參考

型號 IS42S32160B-7BLI
PNEDA編號 IS42S32160B-7BLI
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 2,898
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S32160B-7BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S32160B-7BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S32160B-7BLI, IS42S32160B-7BLI數據表 (總頁數: 62, 大小: 1,173.05 KB)
PDFIS42S32160B-7TLI-TR數據表 封面
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IS42S32160B-7BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小512Mb (16M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率143MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-LFBGA
供應商設備包裝90-LFBGA (13x11)

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內存接口

SPI

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Toshiba Memory America, Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP I

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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