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IS42S32200C1-7BI

IS42S32200C1-7BI

僅供參考

型號 IS42S32200C1-7BI
PNEDA編號 IS42S32200C1-7BI
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 90BGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S32200C1-7BI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S32200C1-7BI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S32200C1-7BI, IS42S32200C1-7BI數據表 (總頁數: 59, 大小: 2,285.26 KB)
PDFIS42S32200C1-6TLI-TR數據表 封面
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IS42S32200C1-7BI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小64Mb (2M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率143MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-LFBGA
供應商設備包裝90-BGA (13x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP

25AA128-I/SN

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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