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IS42S32800B-6TLI

IS42S32800B-6TLI

僅供參考

型號 IS42S32800B-6TLI
PNEDA編號 IS42S32800B-6TLI
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S32800B-6TLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S32800B-6TLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S32800B-6TLI, IS42S32800B-6TLI數據表 (總頁數: 62, 大小: 1,917.86 KB)
PDFIS42S32800B-6BI-TR數據表 封面
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IS42S32800B-6TLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (8M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝86-TSOP II

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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Surface Mount

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