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IS42S32800D-75EB

IS42S32800D-75EB

僅供參考

型號 IS42S32800D-75EB
PNEDA編號 IS42S32800D-75EB
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S32800D-75EB資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S32800D-75EB
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS42S32800D-75EB規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (8M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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