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IS42SM16800H-75BLI-TR

IS42SM16800H-75BLI-TR

僅供參考

型號 IS42SM16800H-75BLI-TR
PNEDA編號 IS42SM16800H-75BLI-TR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42SM16800H-75BLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42SM16800H-75BLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS42SM16800H-75BLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間6ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

600ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

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包裝/箱

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