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IS42VM16160E-6BLI-TR

IS42VM16160E-6BLI-TR

僅供參考

型號 IS42VM16160E-6BLI-TR
PNEDA編號 IS42VM16160E-6BLI-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42VM16160E-6BLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42VM16160E-6BLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42VM16160E-6BLI-TR, IS42VM16160E-6BLI-TR數據表 (總頁數: 33, 大小: 832.58 KB)
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IS42VM16160E-6BLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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內存接口

SPI

時鐘頻率

16MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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