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IS42VM16400M-6BLI

IS42VM16400M-6BLI

僅供參考

型號 IS42VM16400M-6BLI
PNEDA編號 IS42VM16400M-6BLI
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42VM16400M-6BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42VM16400M-6BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42VM16400M-6BLI, IS42VM16400M-6BLI數據表 (總頁數: 34, 大小: 991.35 KB)
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IS42VM16400M-6BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

96ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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訪問時間

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