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IS42VM32800E-75BLI-TR

IS42VM32800E-75BLI-TR

僅供參考

型號 IS42VM32800E-75BLI-TR
PNEDA編號 IS42VM32800E-75BLI-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42VM32800E-75BLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42VM32800E-75BLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42VM32800E-75BLI-TR, IS42VM32800E-75BLI-TR數據表 (總頁數: 33, 大小: 871.66 KB)
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IS42VM32800E-75BLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile
內存大小256Mb (8M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間6ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

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工作溫度

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安裝類型

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時鐘頻率

3MHz

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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時鐘頻率

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電壓-供電

2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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