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IS43LR32400F-6BL

IS43LR32400F-6BL

僅供參考

型號 IS43LR32400F-6BL
PNEDA編號 IS43LR32400F-6BL
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43LR32400F-6BL資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43LR32400F-6BL
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43LR32400F-6BL, IS43LR32400F-6BL數據表 (總頁數: 42, 大小: 1,501.94 KB)
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IS43LR32400F-6BL規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小128Mb (4M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5.5ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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時鐘頻率

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制造商

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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