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IS43R32800D-5B

IS43R32800D-5B

僅供參考

型號 IS43R32800D-5B
PNEDA編號 IS43R32800D-5B
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 2,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43R32800D-5B資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43R32800D-5B
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43R32800D-5B, IS43R32800D-5B數據表 (總頁數: 32, 大小: 1,016.92 KB)
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IS43R32800D-5B規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (8M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱144-LFBGA
供應商設備包裝144-LFBGA (12x12)

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內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

16Gb (4G x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.6GHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

19ns

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

200µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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48-TSOP

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