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IS43R83200F-6TLI

IS43R83200F-6TLI

僅供參考

型號 IS43R83200F-6TLI
PNEDA編號 IS43R83200F-6TLI
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 22 - 三月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43R83200F-6TLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43R83200F-6TLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43R83200F-6TLI, IS43R83200F-6TLI數據表 (總頁數: 32, 大小: 1,495.17 KB)
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IS43R83200F-6TLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP II

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Winbond Electronics

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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