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IS43R86400F-6BL-TR

IS43R86400F-6BL-TR

僅供參考

型號 IS43R86400F-6BL-TR
PNEDA編號 IS43R86400F-6BL-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43R86400F-6BL-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43R86400F-6BL-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43R86400F-6BL-TR, IS43R86400F-6BL-TR數據表 (總頁數: 29, 大小: 848.93 KB)
PDFIS43R86400F-5BLI數據表 封面
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IS43R86400F-6BL-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TFBGA (13x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

54ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Fremont Micro Devices Ltd

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

64Gb (8G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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