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IS43TR82560B-125KBLI-TR

IS43TR82560B-125KBLI-TR

僅供參考

型號 IS43TR82560B-125KBLI-TR
PNEDA編號 IS43TR82560B-125KBLI-TR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43TR82560B-125KBLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43TR82560B-125KBLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS43TR82560B-125KBLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-TWBGA (8x10.5)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

110ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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