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IS43TR85120A-125KBL-TR

IS43TR85120A-125KBL-TR

僅供參考

型號 IS43TR85120A-125KBL-TR
PNEDA編號 IS43TR85120A-125KBL-TR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43TR85120A-125KBL-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43TR85120A-125KBL-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43TR85120A-125KBL-TR, IS43TR85120A-125KBL-TR數據表 (總頁數: 87, 大小: 4,638.34 KB)
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IS43TR85120A-125KBL-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-TWBGA (9x10.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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