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IS45S32200L-6TLA1

IS45S32200L-6TLA1

僅供參考

型號 IS45S32200L-6TLA1
PNEDA編號 IS45S32200L-6TLA1
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS45S32200L-6TLA1資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS45S32200L-6TLA1
類別半導體內存IC內存
數據表
IS45S32200L-6TLA1, IS45S32200L-6TLA1數據表 (總頁數: 59, 大小: 1,309.99 KB)
PDFIS42S32200L-7BI數據表 封面
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IS45S32200L-6TLA1規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小64Mb (2M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝86-TSOP II

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Microchip Technology

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

150ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

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