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IS45S32800J-6TLA1-TR

IS45S32800J-6TLA1-TR

僅供參考

型號 IS45S32800J-6TLA1-TR
PNEDA編號 IS45S32800J-6TLA1-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 2,358
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS45S32800J-6TLA1-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS45S32800J-6TLA1-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS45S32800J-6TLA1-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝86-TSOP II

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安裝類型

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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