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IS46DR16160B-3DBLA1

IS46DR16160B-3DBLA1

僅供參考

型號 IS46DR16160B-3DBLA1
PNEDA編號 IS46DR16160B-3DBLA1
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS46DR16160B-3DBLA1資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS46DR16160B-3DBLA1
類別半導體內存IC內存
數據表
IS46DR16160B-3DBLA1, IS46DR16160B-3DBLA1數據表 (總頁數: 46, 大小: 996.66 KB)
PDFIS43DR16160B-3DBI數據表 封面
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IS46DR16160B-3DBLA1規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間450ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-TFBGA
供應商設備包裝84-TWBGA (8x12.5)

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內存大小

1.125Gb (64Mb x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1067MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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