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IS46R16160D-6TLA1

IS46R16160D-6TLA1

僅供參考

型號 IS46R16160D-6TLA1
PNEDA編號 IS46R16160D-6TLA1
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS46R16160D-6TLA1資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS46R16160D-6TLA1
類別半導體內存IC內存
數據表
IS46R16160D-6TLA1, IS46R16160D-6TLA1數據表 (總頁數: 32, 大小: 1,016.92 KB)
PDFIS43R32800D-5BI數據表 封面
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IS46R16160D-6TLA1規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP II

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

32-sTSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

16MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FRAM

技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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