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IS49NLS18160-33B

IS49NLS18160-33B

僅供參考

型號 IS49NLS18160-33B
PNEDA編號 IS49NLS18160-33B
描述 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 1 - 四月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS49NLS18160-33B資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS49NLS18160-33B
類別半導體內存IC內存
數據表
IS49NLS18160-33B, IS49NLS18160-33B數據表 (總頁數: 35, 大小: 1,251.87 KB)
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IS49NLS18160-33B規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM
內存大小288Mb (16M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率300MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱144-TFBGA
供應商設備包裝144-FCBGA (11x18.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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安裝類型

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

6ms

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電壓-供電

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電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

130-VFBGA

供應商設備包裝

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