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IS49NLS96400-33BLI

IS49NLS96400-33BLI

僅供參考

型號 IS49NLS96400-33BLI
PNEDA編號 IS49NLS96400-33BLI
描述 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS49NLS96400-33BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS49NLS96400-33BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS49NLS96400-33BLI, IS49NLS96400-33BLI數據表 (總頁數: 34, 大小: 558.42 KB)
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IS49NLS96400-33BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM
內存大小576Mb (64M x 9)
內存接口Parallel
時鐘頻率300MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱144-TFBGA
供應商設備包裝144-FCBGA (11x18.5)

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

24-BGA (8x6)

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Cypress Semiconductor

制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (1M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

56MHz

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

54ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.75V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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