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IS61C5128AS-25TLI-TR

IS61C5128AS-25TLI-TR

僅供參考

型號 IS61C5128AS-25TLI-TR
PNEDA編號 IS61C5128AS-25TLI-TR
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61C5128AS-25TLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61C5128AS-25TLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61C5128AS-25TLI-TR, IS61C5128AS-25TLI-TR數據表 (總頁數: 19, 大小: 471.53 KB)
PDFIS61C5128AS-25HLI數據表 封面
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IS61C5128AS-25TLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP II

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

8ns

訪問時間

8ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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