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IS61LF51236B-7.5B3LI-TR

IS61LF51236B-7.5B3LI-TR

僅供參考

型號 IS61LF51236B-7.5B3LI-TR
PNEDA編號 IS61LF51236B-7-5B3LI-TR
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 117MHZ
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61LF51236B-7.5B3LI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61LF51236B-7.5B3LI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61LF51236B-7.5B3LI-TR, IS61LF51236B-7.5B3LI-TR數據表 (總頁數: 35, 大小: 2,026.89 KB)
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IS61LF51236B-7.5B3LI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率117MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間7.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TFBGA
供應商設備包裝165-TFBGA (13x15)

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內存接口

Parallel

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訪問時間

90ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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