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IS61LPS25636A-200TQI-TR

IS61LPS25636A-200TQI-TR

僅供參考

型號 IS61LPS25636A-200TQI-TR
PNEDA編號 IS61LPS25636A-200TQI-TR
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61LPS25636A-200TQI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61LPS25636A-200TQI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61LPS25636A-200TQI-TR, IS61LPS25636A-200TQI-TR數據表 (總頁數: 35, 大小: 2,595.04 KB)
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IS61LPS25636A-200TQI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.1ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x20)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

96ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

250ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

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