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IS61NLF25672-6.5B1I

IS61NLF25672-6.5B1I

僅供參考

型號 IS61NLF25672-6.5B1I
PNEDA編號 IS61NLF25672-6-5B1I
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61NLF25672-6.5B1I資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61NLF25672-6.5B1I
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS61NLF25672-6.5B1I規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (256K x 72)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間6.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱209-BGA
供應商設備包裝209-LFBGA (14x22)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

256b (16 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-DIP

AT28HC256F-12PI

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

165-TFBGA (13x15)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

700µs

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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