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IS61NLF51236-7.5TQLI

IS61NLF51236-7.5TQLI

僅供參考

型號 IS61NLF51236-7.5TQLI
PNEDA編號 IS61NLF51236-7-5TQLI
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61NLF51236-7.5TQLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61NLF51236-7.5TQLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61NLF51236-7.5TQLI, IS61NLF51236-7.5TQLI數據表 (總頁數: 35, 大小: 496.97 KB)
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IS61NLF51236-7.5TQLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率117MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間7.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x20)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.3ns

電壓-供電

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LQFP

供應商設備包裝

64-TQFP (14x14)

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制造商

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EPROM - OTP

內存大小

1Kb (256b x 4 pages)

內存接口

Single Wire

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.65V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

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Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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