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IS61NLP12836B-200TQI

IS61NLP12836B-200TQI

僅供參考

型號 IS61NLP12836B-200TQI
PNEDA編號 IS61NLP12836B-200TQI
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61NLP12836B-200TQI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61NLP12836B-200TQI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61NLP12836B-200TQI, IS61NLP12836B-200TQI數據表 (總頁數: 29, 大小: 504.66 KB)
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IS61NLP12836B-200TQI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.1ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x20)

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時鐘頻率

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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10ms

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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Surface Mount

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28-SOIC

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

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0°C ~ 70°C (TA)

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