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IS61NVF25672-7.5B1I

IS61NVF25672-7.5B1I

僅供參考

型號 IS61NVF25672-7.5B1I
PNEDA編號 IS61NVF25672-7-5B1I
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61NVF25672-7.5B1I資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61NVF25672-7.5B1I
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61NVF25672-7.5B1I, IS61NVF25672-7.5B1I數據表 (總頁數: 35, 大小: 496.97 KB)
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IS61NVF25672-7.5B1I規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (256K x 72)
內存接口Parallel
時鐘頻率117MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間7.5ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱209-BGA
供應商設備包裝209-LFBGA (14x22)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存接口

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時鐘頻率

100MHz

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

150ns

訪問時間

150ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

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時鐘頻率

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訪問時間

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