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IS61NVF51236-6.5B3

IS61NVF51236-6.5B3

僅供參考

型號 IS61NVF51236-6.5B3
PNEDA編號 IS61NVF51236-6-5B3
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61NVF51236-6.5B3資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61NVF51236-6.5B3
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS61NVF51236-6.5B3規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間6.5ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-TFBGA (13x15)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

3MHz

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5ms

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電壓-供電

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工作溫度

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