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IS61NVP51236-200B3I

IS61NVP51236-200B3I

僅供參考

型號 IS61NVP51236-200B3I
PNEDA編號 IS61NVP51236-200B3I
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61NVP51236-200B3I資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61NVP51236-200B3I
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS61NVP51236-200B3I規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.1ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LFBGA
供應商設備包裝165-TFBGA (13x15)

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內存類型

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內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

137-VFBGA

供應商設備包裝

137-VFBGA (13x10.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

供應商設備包裝

90-TFBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

*

內存類型

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內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

120MHz

寫周期-字,頁

2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-XDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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