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IS61NVP51236B-200B3LI-TR

IS61NVP51236B-200B3LI-TR

僅供參考

型號 IS61NVP51236B-200B3LI-TR
PNEDA編號 IS61NVP51236B-200B3LI-TR
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61NVP51236B-200B3LI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61NVP51236B-200B3LI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61NVP51236B-200B3LI-TR, IS61NVP51236B-200B3LI-TR數據表 (總頁數: 39, 大小: 1,938.53 KB)
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IS61NVP51236B-200B3LI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-TFBGA (13x15)

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時鐘頻率

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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2.7V ~ 3.6V

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