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IS61QDB24M18A-300B4LI

IS61QDB24M18A-300B4LI

僅供參考

型號 IS61QDB24M18A-300B4LI
PNEDA編號 IS61QDB24M18A-300B4LI
描述 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,634
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 28 - 二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61QDB24M18A-300B4LI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61QDB24M18A-300B4LI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61QDB24M18A-300B4LI, IS61QDB24M18A-300B4LI數據表 (總頁數: 29, 大小: 770.95 KB)
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IS61QDB24M18A-300B4LI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QUAD
內存大小72Mb (4M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率300MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間1.48ns
電壓-供電1.71V ~ 1.89V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-LFBGA (13x15)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

165-CABGA (13x15)

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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