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IS61QDB24M18A-300B4LI

IS61QDB24M18A-300B4LI

僅供參考

型號 IS61QDB24M18A-300B4LI
PNEDA編號 IS61QDB24M18A-300B4LI
描述 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,634
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61QDB24M18A-300B4LI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61QDB24M18A-300B4LI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61QDB24M18A-300B4LI, IS61QDB24M18A-300B4LI數據表 (總頁數: 29, 大小: 770.95 KB)
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IS61QDB24M18A-300B4LI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QUAD
內存大小72Mb (4M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率300MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間1.48ns
電壓-供電1.71V ~ 1.89V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-LFBGA (13x15)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2

內存大小

1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

121-WFBGA

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