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IS61VPD102418A-200B3-TR

IS61VPD102418A-200B3-TR

僅供參考

型號 IS61VPD102418A-200B3-TR
PNEDA編號 IS61VPD102418A-200B3-TR
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61VPD102418A-200B3-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61VPD102418A-200B3-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61VPD102418A-200B3-TR, IS61VPD102418A-200B3-TR數據表 (總頁數: 29, 大小: 552.91 KB)
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IS61VPD102418A-200B3-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Quad Port, Synchronous
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.1ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-PBGA (13x15)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

12µs, 2.4ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.2V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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