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IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR

IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR

僅供參考

型號 IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR
PNEDA編號 IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁8ns
訪問時間8ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

2µs

電壓-供電

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NAND

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

MT47H64M8SH-25E AAT:H

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-TFBGA

供應商設備包裝

60-FBGA (10x18)

PC28F256P33BFA

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

Axcell™

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

52MHz

寫周期-字,頁

95ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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