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IS62WV12816EBLL-45BLI-TR

IS62WV12816EBLL-45BLI-TR

僅供參考

型號 IS62WV12816EBLL-45BLI-TR
PNEDA編號 IS62WV12816EBLL-45BLI-TR
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 48TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS62WV12816EBLL-45BLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS62WV12816EBLL-45BLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS62WV12816EBLL-45BLI-TR, IS62WV12816EBLL-45BLI-TR數據表 (總頁數: 17, 大小: 723.15 KB)
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IS62WV12816EBLL-45BLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小2Mb (128K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間45ns
電壓-供電2.2V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (6x8)

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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內存接口

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時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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