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IS62WV2568BLL-70BI

IS62WV2568BLL-70BI

僅供參考

型號 IS62WV2568BLL-70BI
PNEDA編號 IS62WV2568BLL-70BI
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 36MINIBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS62WV2568BLL-70BI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS62WV2568BLL-70BI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS62WV2568BLL-70BI, IS62WV2568BLL-70BI數據表 (總頁數: 14, 大小: 540.47 KB)
PDFIS62WV2568BLL-70HI-TR數據表 封面
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IS62WV2568BLL-70BI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱36-TFBGA
供應商設備包裝36-TFBGA (6x8)

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SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

Single Wire

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

162-VFBGA

供應商設備包裝

162-VFBGA (10.5x8)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (256 x 8 x 4)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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