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IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR

IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR

僅供參考

型號 IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR
PNEDA編號 IS64LF25636A-7-5B3LA3-TR
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率117MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間7.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-TFBGA (13x15)

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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