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IS66WV51216BLL-55BLI

IS66WV51216BLL-55BLI

僅供參考

型號 IS66WV51216BLL-55BLI
PNEDA編號 IS66WV51216BLL-55BLI
描述 IC PSRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS66WV51216BLL-55BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS66WV51216BLL-55BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS66WV51216BLL-55BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小8Mb (512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-miniBGA (6x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

2Mb (64K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.63V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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