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ISL6612BECBZ-T

ISL6612BECBZ-T

僅供參考

型號 ISL6612BECBZ-T
PNEDA編號 ISL6612BECBZ-T
描述 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL6612BECBZ-T資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL6612BECBZ-T
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
ISL6612BECBZ-T, ISL6612BECBZ-T數據表 (總頁數: 12, 大小: 679.4 KB)
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ISL6612BECBZ-T規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電7V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)1.25A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)36V
上升/下降時間(典型值)26ns, 18ns
工作溫度0°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝8-SOIC-EP

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N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

25ns, 25ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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邏輯電壓-VIL,VIH

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

1A, 1A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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邏輯電壓-VIL,VIH

1.85V, 3.25V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.5A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

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4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

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輸入類型

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高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

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工作溫度

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