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ISL6612CB

ISL6612CB

僅供參考

型號 ISL6612CB
PNEDA編號 ISL6612CB
描述 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 2,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL6612CB資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL6612CB
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
ISL6612CB, ISL6612CB數據表 (總頁數: 12, 大小: 674.48 KB)
PDFISL6612CRZ-TR5238數據表 封面
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ISL6612CB規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電10.8V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)1.25A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)36V
上升/下降時間(典型值)26ns, 18ns
工作溫度0°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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N-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 12.6V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.3A, 7.6A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

82ns, 12.5ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

25ns, 25ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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頻道類型

Independent

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IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2.3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

5A, 5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Infineon Technologies

系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

3-Phase

驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

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高壓側-最大(自舉)

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門類型

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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