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ISL6613ACBZ-T

ISL6613ACBZ-T

僅供參考

型號 ISL6613ACBZ-T
PNEDA編號 ISL6613ACBZ-T
描述 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL6613ACBZ-T資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL6613ACBZ-T
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
ISL6613ACBZ-T, ISL6613ACBZ-T數據表 (總頁數: 12, 大小: 667.55 KB)
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ISL6613ACBZ-T規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電10.8V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)1.25A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)36V
上升/下降時間(典型值)26ns, 18ns
工作溫度0°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

10-VFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

10-DFN (3x3)

LM5101AM/NOPB

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制造商

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

2.3V, -

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

430ns, 260ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

3.7V, 7.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

114V

上升/下降時間(典型值)

9ns, 7.5ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動配置

High-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

290mA, 600mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

210mA, 360mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

100ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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