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ISL6613EIB

ISL6613EIB

僅供參考

型號 ISL6613EIB
PNEDA編號 ISL6613EIB
描述 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL6613EIB資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL6613EIB
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
ISL6613EIB, ISL6613EIB數據表 (總頁數: 12, 大小: 674.48 KB)
PDFISL6612CRZ-TR5238數據表 封面
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ISL6613EIB規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電10.8V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)1.25A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)36V
上升/下降時間(典型值)26ns, 18ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝8-SOIC-EP

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N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 18ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

供應商設備包裝

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N-Channel MOSFET

電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.1V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

32ns, 26ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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驅動配置

High-Side or Low-Side

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

IGBT

電壓-供電

4.5V ~ 16.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3.5A, 3.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14.5ns, 15ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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驅動配置

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頻道類型

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電壓-供電

4V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.1V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

40ns, 25ns

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-40°C ~ 150°C (TJ)

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

25ns, 25ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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