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ISL6613EIBZ

ISL6613EIBZ

僅供參考

型號 ISL6613EIBZ
PNEDA編號 ISL6613EIBZ
描述 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 7,686
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL6613EIBZ資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL6613EIBZ
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
ISL6613EIBZ, ISL6613EIBZ數據表 (總頁數: 12, 大小: 674.48 KB)
PDFISL6612CRZ-TR5238數據表 封面
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ISL6613EIBZ規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電10.8V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)1.25A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)36V
上升/下降時間(典型值)26ns, 18ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝8-SOIC-EP

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驅動配置

High-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

3.5V ~ 60V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

90ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-TFSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

供應商設備包裝

16-MSOP

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.5A, 2.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

40ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

500mA, 500mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

25ns, 25ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2A, 1.8A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

15ns, 10ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 35V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

16ns, 13ns

工作溫度

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